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IDT7025S/L
High-Speed 8K x 16 Dual-Port Static RAM
Military, Industrial and Commercial Temperature Ranges
Data Retention Characteristics Over All Temperature Ranges
(L Version Only)
Symbol
V DR
Parameter
V CC for Data Retention
V CC = 2V
Test Condition
Min.
2.0
Typ. (1)
___
Max.
___
Unit
V
I CCDR
Data Retention Current
CE > V HC
MIL. & IND.
___
100
4000
μA
V IN > V HC or < V LC
COM'L.
___
100
1500
t R
t RC
t CDR (3)
(3)
Chip Dese lect to Data Retention Time
Operation Recovery Time
SEM > V HC
0
(2)
___
___
___
___
ns
ns
NOTES:
1. T A = +25°C, V CC = 2V, and are not production tested.
2. t RC = Read Cycle Time
3. This parameter is guaranteed by device characterization, but is not production tested.
4. At Vcc < 2.0V input leakages are undefined.
Data Retention Waveform
DATA RETENTION MODE
2683 tbl 10
V CC
CE
4.5V
t CDR
V IH
V DR ≥ 2V
V DR
4.5V
t R
V IH
2683 drw 05
AC Test Conditions
Input Pulse Levels
Input Rise/Fall Times
Input Timing Reference Levels
Output Reference Levels
Output Load
GND to 3.0V
5ns Max.
1.5V
1.5V
Figures 1 and 2
2683 tbl 11
DATA OUT
BUSY
5V
893 ?
DATA OUT
5V
893 ?
INT
347 ?
30pF
347 ?
5pF*
2683 drw 06
Figure 1. AC Output Test Load
8
6.42
Figure 2. Output Test Load
(for t LZ , t HZ , t WZ , t OW )
* including scope and jig.
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